1. 先明确 PMOS 的导通条件 PMOS 的导通要求：栅极（G）电压 < 源极（S）电压（即 \(V_{GS} < 0\)，且绝对值大于其阈值电压）；若 \(V_{GS} \geq 0\)，PMOS 会截止（相当于开关断开）。 2. 正常接线时的工作状态 假设直流输入为12V（正极接 S、负极接 G 端）： 源极 …

面包君&#xff1a;你说人生短短几十年&#xff0c;不过得有趣一些&#xff0c;是不是很对不起自己的一生&#xff1f;就像是beyond的“无悔这一生”&#xff0c;我喜欢老歌&#xff0c;我很喜欢beyond的歌曲。极光君黑极光君&#xff1a;面包君&#xff0c;这个问题问得很干净…

一、位域结构体GPIO_Reg的核心作用 该定义是将8 位寄存器拆分为独立的位段（output_en占 bit0、irq_en占 bit1、reserved占 bit2~bit7），目的是简化寄存器的位操作—— 无需手动编写位掩码（如#define OUTPUT_EN (1<<0)），直接通过结构体成员访问寄存器的特定位，让代…

原文 简介 behaviac组件不仅支持行为树&#xff0c;也支持有限状态机&#xff08;FSM&#xff09;&#xff0c;并且支持行为树跟状态机的相互嵌套调用。 behaviac组件中的状态机主要用到了状态&#xff08;State&#xff09;、等待状态&#xff08;WaitState&#xff09;和等…

在 MOSFET 的栅极前端串联100Ω 左右的电阻，核心作用是抑制栅极振荡、限制栅极驱动电流、保护驱动芯片，这个电阻也被称为栅极电阻（\(R_G\)）。 一、 加栅极电阻的核心原因 抑制栅极 - 源极寄生振荡MOSFET 的栅极（G）和源极（S）之间存在寄生电容\(C_{GS}\)，栅极和漏极（D…

AI训练能效革命&#xff1a;从45分钟到3分钟的技术演进与行业影响 【免费下载链接】modded-nanogpt GPT-2 (124M) quality in 5B tokens 项目地址: https://gitcode.com/GitHub_Trending/mo/modded-nanogpt 在AI算力成本持续攀升的背景下&#xff0c;AI能效优化已成为行…

要分析这个UCC27244D 驱动 MOS 管 Q1电路中 R1、R3、D1、R2 的作用，需要结合 “栅极驱动的充放电、振荡抑制、可靠性” 这几个核心需求来看： 1. R1（100Ω）：栅极串联电阻（核心作用是抑制振荡 + 限流） R1 串联在驱动器OUTA与 MOS 管 Q1 的栅极（G）之间，是栅极电阻，作…

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