【导语本文借助专业AI投研工具AlphaEngine解读3D NAND技术指出其“以钼代钨”已成确定趋势半导体级钼需求未来将快速放量受供需影响钼价有望上行并介绍了相关市场格局与重点标的。】3D NAND用层数换密度的闪存技术NAND指的是NAND Flash闪存3D NAND是将存储单元在垂直方向堆叠的闪存技术区别于传统2D NAND在单层平面上排列存储单元的方式。它本质是在平面微缩逼近物理极限时向“高空”发展用层数换密度。目前3D NAND堆叠从200层→375层→480层→604层的路径确定。字线金属“以钼代钨”成必然字线是3D NAND闪存芯片内部的水平控制线路负责选择和操作特定行的存储单元。随着堆叠层数增加字线变得更长、更细钨在这种极端尺寸下电阻急剧上升导致信号延迟和发热问题而钼的电阻率更低且无需额外阻挡层因此成为高层堆叠的必然选择。SK海力士375层3D NAND生产验证于6月11日完成计划年底在清州M15正式量产“以钼代钨”正在落地。半导体级钼关注高纯溢价3D NAND用到的半导体级钼是超高纯度钼粉纯度5N以上与工业用钼产品形态不同基本不互通。其字线制造使用气相前驱体核心受益品种是钼前驱体。半导体级钼前驱体全球市场目前极小但2027 - 2028年预计进入快速放量阶段。2030E半导体新增钼需求约334吨相对全球钼30万吨供给可忽略但相对现有高纯钼粉产能~5000吨/年量级是实质性增量。全球真正通过三星、SK海力士认证的供应商不超过3 - 5家定价逻辑将向溢价模式演进“以钼代钨”的真正逻辑是高纯溢价供给认证壁垒而非总量冲击。供给弹性低钼价有望上行全球钼供给约40%来自南美铜矿伴生25 - 30%来自中国独立钼矿剩余来自北美。伴生矿的钼产量由铜矿主矿采选计划决定与钼价无关使得钼的供给弹性显著低于大多数有色金属。2026年1 - 4月秘鲁地区因能源紧缺中国从秘鲁进口钼精矿同比下滑16%同期南美铜矿主矿商2026年铜产量指引下调传导至伴生钼产量。26 - 28年没有显著新增产能主要依靠沙坪沟钼矿、曹四夭钼矿且均在2028年后才能释放。从需求侧看传统钢铁领域稳健半导体新增量机构普遍判断钼价有望突破22年高点6500元/吨度。市场格局与重点标的雅克科技与SK海力士敲定涨价7月1日起Mo前驱体普涨20%以海力士为示范其余客户三星、YMTC、CXMT有望跟进。该公司已为三星、海力士配套研发多年质量评估和审厂陆续展开配套固态前驱体用SFS传输设备已完成国内第一台样机。当前Mo前驱体收入规模较小但若SKH/Samsung验证通过后进入量产采购配合涨价Mo前驱体有望在2027 - 2028年贡献数亿元营收增量利润弹性高。编辑观点3D NAND“以钼代钨”趋势明确半导体级钼需求增长将为相关市场带来新机遇但钼的供给受多种因素制约未来钼价走势值得关注。
